大数据和人工智能时代，对数据加载速度的要求越来越高。更换内存，速度快，但容量小，耗电高；采用非易失性闪存存储器，容量充足，但速度较慢。未来，这一发展计算能力的瓶颈有望突破。复旦大学研发的首款基于混合架构闪存芯片的二维Siligon发布，相关研究成果发表在《Nature》杂志上。随着以硅为原材料的芯片工艺不断逼近物理极限，二维半导体作为下一代基础材料近年来备受关注。今年4月，孤独的复旦大学团队研发出世界首个基于二维半导体材料的闪存器件“Daybreak”。存储速度比原来快100万倍传统闪存。但相比硅材料的纳米级工艺，二维半导体的厚度只有1-3个原子，等于不到1纳米。制造过程非常困难。如何将其融入现有的硅基工艺平台而不破坏其性能，成为该技术未来能否大尺寸应用的主要问题。为了找到这条“正路”，团队在第一阶段经历了五年的试错。最终，通过创新的核心工艺，实现了二维材料与硅基电路的紧密贴合。芯片集成度高达94.3%，超过良品率89%的集成电路制造线，攻克了二维信息器件工程的主要问题，引领首个二维-硅基混合存储器基混合存储器基目前的闪存flash me也就是说，人工智能领域紧缺的显存未来有望直接被二维闪存取代，成本和功耗都低于现在。团队下一步计划是建立实验基地，与相关机构合作，在3-5年内纳入三级项目ProjectLyon。编辑：张博彦
